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鼓励多技术路线探索,消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

聖光之護

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发布时间:2025-01-08 14:40:49

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三星电子计划开发传统架构1e nm dram,实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道,三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm(第八代10纳米级)制程dram。此举旨在丰富技术储备,为未来商业化提供更多选择。

三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存,随后于2027年推出基于4F² VCT创新结构的0a nm内存。但1e nm DRAM的研发,意味着4F² VCT DRAM的量产时间可能推迟到2029年甚至更晚。

鼓励多技术路线探索,消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

▲ 三星 1b nm 制程 DDR5 内存

4F² VCT DRAM虽然单元更小巧,空间利用率更高,但生产成本和资本支出也大幅增加。而1e nm DRAM凭借其延续传统结构的优势,在成本方面更具竞争力。

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有内部人士透露,三星已吸取此前HBM市场战略失误的教训,积极推动包括1e nm DRAM在内的“备选技术”研发,不再忽视非主流产品的技术开发。 这一战略调整将有助于三星在内存市场保持领先地位,并应对未来技术发展的不确定性。

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