dram是内存条。DRAM中文意思为“动态随机存取内存”，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，平时说的内存就是指这一种，通常使用一个晶体管和一个电容器来代表一个比特。DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低；DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。
本教程操作环境：windows7系统、Dell G3电脑。
dram是内存条。
内存条概述
内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。 当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。
内存条作用
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows7系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存条分类
内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。目前30线内存条已经没有了;前几年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种;目前市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。
-
FPM(FAST PAGE MODE)RAM
快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每隔三个时钟脉冲周期传送一次数据。
-
EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM
扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，使存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。
多线程技术在iOS开发中的使用 WORD版下载本文档主要讲述的是多线程技术在iOS开发中的使用；所谓进程对应的是一个应用程序,负责开辟内存空间供应用程序使用，但是进程不能执行任务(指令)。一个进程至少包含一条线程，线程是程序的执行流。 iOS程序启动时，在创建一个进程的同时， 会开始运行一个线程，该线程被称为主线程；希望本文档会给有需要的朋友带来帮助；感兴趣的朋友可以过来看看
-
S(SYSNECRONOUS)DRAM
同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。
-
DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM
SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
-
RDRAM(RAMBUS DRAM)
存储器总线式动态随机存取存储器。RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
DRAM（动态随机存取内存）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取内存），最常用的一种电脑内存。它通常使用一个晶体管和一个电容器来代表一个比特。和ROM及PROM等固件内存不同，随机存取内存的两种主要类型(动态和静态)都会在切断电源之后，丢失所储存的数据。
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。
与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。
更多相关知识，请访问常见问题栏目！
