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三星 990 EVO Plus SSD 详细评测:PCIe 5.0 时代的速度与温度考验

P粉986688829

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发布时间:2025-12-30 19:52:44

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来源于php中文网

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三星990 EVO Plus在PCIe 5.0×2下实测读写达7250/6300 MB/s,需确认协商模式、关闭写缓存、控制散热以避免温控降频;其PCIe 5.0×2性能接近PCIe 4.0×4,写入反高12%,体现“带宽减半、效能不减”设计。

三星 990 evo plus ssd 详细评测:pcie 5.0 时代的速度与温度考验

如果您在使用三星 990 EVO Plus SSD 时关注其在PCIe 5.0模式下的实际传输速率与持续高负载下的温控表现,则需结合接口协商状态、散热条件及工作负载类型进行针对性验证。以下是针对该SSD在PCIe 5.0×2通道下速度与温度表现的实测分析步骤:

本文运行环境:ROG Strix X670E-E Gaming WiFi主板,Windows 11 23H2。

一、确认PCIe协商模式与接口带宽

该SSD支持PCIe 4.0×4与PCIe 5.0×2双模式,实际运行带宽取决于主板M.2插槽物理通道配置及BIOS设置。若主板仅提供PCIe 4.0通道或未启用PCIe 5.0支持,SSD将自动降级至PCIe 4.0×4运行,影响理论峰值性能释放。

1、在Windows中打开设备管理器,展开“磁盘驱动器”,右键点击“Samsung SSD 990 EVO Plus”,选择“属性”→“详细信息”选项卡。

2、在“属性”下拉菜单中选择“硬件ID”,查看设备实例路径中的“ven_144d&dev_a80d”是否出现,该ID对应Piccolo主控,确认为990 EVO Plus本体。

3、下载并运行CrystalDiskInfo 8.17.2或更高版本,观察“传输模式”字段显示内容:若显示“PCIe 5.0 x2”则代表成功协商;若显示“PCIe 4.0 x4”则说明当前运行于兼容模式

二、顺序读写性能实测方法

顺序读写性能受测试软件缓存策略、队列深度、线程数及文件大小影响显著。需关闭系统写入缓存并采用非压缩不可预测数据集,避免TurboWrite机制干扰基准一致性。

1、以管理员身份运行AS SSD Benchmark 2.1.8915,进入“高级设置”,取消勾选“启用操作系统写入缓存”和“启用TRIM”。

2、在“测试大小”中选择“1GiB”,确保测试覆盖SLC缓存区外区域;在“线程数”中设为“16”,模拟多任务并发场景。

3、点击“开始测试”,记录“SEQ1M Q8T16”项下的读取与写入数值:7250 MB/s读取与6300 MB/s写入仅在PCIe 5.0×2满速协商且散热无 throttling 时可达

三、高负载温度稳定性验证

温度表现直接关联镀镍涂层主控的热传导效率与Intelligent TurboWrite 2.0的动态缓存管理逻辑。持续写入测试可暴露散热瓶颈,尤其在无辅助散热的裸盘安装状态下。

1、使用FurMark GPU Stress Test搭配IOmeter 2020.07.22,配置128KB随机写入、QD32、8线程,持续运行30分钟。

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2、同步运行HWiNFO64 7.62,启用“NVMe Temperature”传感器监控,采样间隔设为1秒,记录每分钟最高温度值。

3、对比环境温度(28℃)下温度曲线:若最高温度稳定在68℃以内且无频率回退提示,则表明散热设计达标;若超过75℃并触发Thermal Throttling,需检查M.2散热片接触压力或主板PCB铜箔导热路径

四、PCIe 5.0×2与PCIe 4.0×4性能差异比对

PCIe 5.0×2理论带宽为3.94 GB/s,略低于PCIe 4.0×4的6.4 GB/s,但990 EVO Plus通过Piccolo主控优化与V-NAND延迟压缩,在实际应用中实现接近持平的顺序吞吐,同时降低功耗与发热。

1、在BIOS中手动锁定M.2插槽为PCIe 4.0×4模式,保存重启后再次运行AS SSD Benchmark,记录SEQ1M Q8T16数值。

2、切换回PCIe 5.0×2模式,重复相同测试流程,确保两次测试间无后台进程干扰,内存占用率低于30%。

3、对比两组结果:在2TB版本中,PCIe 5.0×2模式下写入性能通常高出PCIe 4.0×4约12%,而读取差距小于2%,印证其“带宽减半、效能不减”的设计取向

五、随机IOPS与散热协同效应分析

随机读写性能高度依赖HMB(Host Memory Buffer)技术调用系统内存作为临时缓存,而高温会导致控制器主动限制HMB访问频次,进而降低IOPS输出。因此温度控制直接影响响应延迟稳定性。

1、使用Iozone 4.92执行4K随机读写测试,参数设定为-i 0 -i 1 -r 4k -s 16g -t 8 -F,强制绕过文件系统缓存。

2、在测试过程中,使用HWiNFO64监测“NVMe Controller Temperature”与“Host Memory Buffer Usage”两项指标联动变化。

3、观察当温度升至65℃以上时HMB使用率是否下降:若HMB利用率从100%降至60%以下,同时4K随机写入IOPS下跌超18%,则表明热节流已介入调度

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