基于台积电工艺、新冷却系统和功耗优化，骁龙8 Gen 4有望避免骁龙8 Gen 1的过热缺陷。早期测试显示，其单核和多核性能分别提高了5%和10%，功耗降低了15%。
骁龙8 Gen 4能否避免翻车？
自骁龙8 Gen 1发布以来，其过热的缺陷一直备受诟病。那么，即将推出的骁龙8 Gen 4能否避免同样的翻车？
过热问题的根源
骁龙8 Gen 1的问题主要归咎于其三星4nm工艺，该工艺容易产生过多的热量。此外，其高性能Cortex-X2内核也加剧了散热压力。
骁龙8 Gen 4的改进
为了解决这些问题，骁龙8 Gen 4采用了台积电的4nm工艺，该工艺以其热效率和稳定性而闻名。此外，骁龙8 Gen 4还采用了新的冷却系统，包括更大的散热面积和更有效的石墨片。
进一步降低功耗
除了硬件改进之外，骁龙8 Gen 4还针对功耗进行了优化。例如，新的Adreno GPU采用了可变速率着色技术，可在不影响性能的情况下降低功耗。
早期测试结果
骁龙8 Gen 4的早期测试结果令人鼓舞。Geekbench跑分显示，其单核和多核性能分别提高了5%和10%，同时功耗降低了15%。
结论
基于台积电工艺、新的冷却系统和功耗优化，骁龙8 Gen 4有望避免骁龙8 Gen 1的过热问题。早期测试结果也支持这一结论。因此，我们可以乐观地认为，骁龙8 Gen 4将是一款性能强劲且功耗稳定的旗舰处理器。
